铝氧化除油工艺配比（氧化物和铜化学机械抛光清洗和干燥）

将兆声与Rotagoni干燥器相结合，为清洁和干燥化学机械抛光晶片提供了一个极好的平台。在氧化物化学机械抛光的情况下，晶片从1100纳米的厚度抛光到700纳米，然后湿转移到兆频超声波平台或洗涤器。然后用稀NH3清洗晶片，并在兆频超声波平台(1000级洁净室)上用Rotagoni干燥，或在洗涤器(1级洁净室)上用旋转干燥器干燥。颗粒计数表明，兆频超声波清洗和旋干法的总体平均值较低，分布比擦洗和旋转干燥更紧密(图6)。兆频超声波清洗对于去除地形特征的污染也非常有效。因此，化学机械抛光过程中的任何不一致(凹陷、划痕等)。可以被兆声有效地清洁，不像擦洗。

图6 在氧化物CMP后清洗的晶片上测量LSE > 0.20 m的lpd，以进行擦洗，随后进行旋转干燥和金手指干燥，随后进行旋转干燥

对弯折和弯折叉形结构的电测量也验证了兆频超声波清洗的质量，随后是旋转振荡器干燥。当Rotagoni干燥机结束清洗过程时，没有观察到电产量损失。

水印预防：

Rotagoni干燥器的另一个特点是能够干燥图案化的疏水和亲水表面而没有水痕。这不是脱水的情况。图案化的硅和TEOS晶片经过高频清洗后，用旋转干燥机或旋转干燥机进行漂洗和干燥。对干燥晶片的检查显示，旋转干燥的晶片表面有水痕，但旋转干燥的晶片表面没有干燥痕迹(图8)。

图8 暴露于氢氟酸后，旋转干燥的晶片表面出现干燥痕迹

总结

非接触、非破坏性的兆频超声波清洗与Rotagoni干燥器相结合，是非常有效的晶圆清洗平台。化学机械抛光后清洗就是一个例子。在氧化物化学机械抛光晶片的情况下，平均颗粒计数低于擦洗清洁。颗粒去除在图案化的后化学机械抛光中也是极好的铜晶片。铜经过清洗，没有腐蚀。

Rotagoni干燥器不限于颗粒去除应用。旋转干燥器也能在旋转干燥器上增强HF-last表面的干燥。图案化的亲水性和疏水性表面由转轮干燥，没有水痕。