三星s7哪个版本处理器好（三星S7处理器有多diao你造吗）

【PConline 杂谈】三星全新旗舰手机Galaxy S7/S7 edge已经在MWC2016开幕的前一天发布，S7/S7 edge身上有许多亮点，例如双曲面Super AMOLED屏幕，IP68级别的三防功能，佳能全像素双核传感器技术等等，这确实能给用户不少全新的体验而硬件配置作为良好体验的基础，旗舰的Galaxy S7/S7 edge又怎能落后呢?关于三星自主设计/制造的处理器，你又知多少呢?今天，笔者和大家一起聊聊三星处理器的发展历程，以及Galaxy S7/S7 edge的“大脑”:Exynos 8890与骁龙820，我来为大家科普一下关于三星s7哪个版本处理器好?以下内容希望对你有帮助!

三星s7哪个版本处理器好

【PConline 杂谈】三星全新旗舰手机Galaxy S7/S7 edge已经在MWC2016开幕的前一天发布，S7/S7 edge身上有许多亮点，例如双曲面Super AMOLED屏幕，IP68级别的三防功能，佳能全像素双核传感器技术等等，这确实能给用户不少全新的体验。而硬件配置作为良好体验的基础，旗舰的Galaxy S7/S7 edge又怎能落后呢?关于三星自主设计/制造的处理器，你又知多少呢?今天，笔者和大家一起聊聊三星处理器的发展历程，以及Galaxy S7/S7 edge的“大脑”:Exynos 8890与骁龙820。

三星制造处理器已经15个年头

三星作为半导体领域的IDM厂商，其自身具备IC的设计能力以及生产能力。三星移动处理器（以下简称为Soc）发展至今已经经历了15个年头，其中不少经典的移动产品像iPhone 1代、iPod nano 2都搭载有三星的Soc。除了Soc之外，三星的产业（移动设备内）还涉及到多方面的设计制造，例如手机上的LPDDR3/4 RAM、eMMC/UFS标准的ROM芯片、OLED屏幕、摄像头模块等等，是全球仅有的一家核心部件自给自足的手机厂商。当然，以上提及到的产品都可以出售，三星也有自己的晶圆生产基地，用于自家芯片的生产以及别家Fabless厂商的芯片代工，例如苹果A9处理器，高通骁龙820处理器等等。关于IDM与Fabless的区别请点击:《技术分析第55期:手机Soc工艺你知多少?》

三星移动处理器15年发展历程
年份	处理器型号	设备型号	核心数量	架构	工艺
2000	S3C44B0X	Danger HipTop(手机)	1	arm7TCMI	250nm
2003	S3C2410	惠普iPAQ H1940(PDA)	1	arm920T	180nm
2006	S5L8701	苹果iPod nano 2(MP3)	1	arm940T	180nm
2007	S5L8900	苹果iPhone 1代	1	arm1176JZF-S	90nm
2009	S3C6411	Galaxy Spoca	1	arm1176JZF-S	65nm
2010	Exynos 3110	Galaxy S	1	蜂鸟	45nm
2011	Exynos 4210	Galaxy S2	2	猎户座	45nm
2011	Exynos 5250	Nexus 10(平板)	2	arm A15	32nm
2012	Exynos 4412	Galaxy S3	4	arm A9	32nm
2013	Exynos 5410	Galaxy S4	8	arm A15 A7	28nm
2013	Exynos 5420	Galaxy Note3	8	arm A15 A7	28nm
2014	Exynos 5422	Galaxy S5	8	arm A15 A7	28nm
2014	Exynos 5430	Galaxy Alpha	8	arm A15 A7	20nm
2014	Exynos 5433	Galaxy Note4	8	arm A57 A53	20nm
2015	Exynos 7420	Galaxy S6	8	arm A57 A53	14nm
2015	Exynos 8890	Galaxy S7	8	M1 arm A53	14nm

Exynos 4210/4212:三星首款双核处理器

Exynos 4210/4212有一个为人熟悉的名字:猎户座，其首次搭载在三星首款双核手机:Galaxy S2（I9100）上，虽然这款神机年事已高，但CM团队甚至为其推出了Android 6.0的Nightlies版本。Exynos 4210采用45nm制程节点制造，内置两颗1.2GHz的armCortex-A9核心，集成Mali T400 GPU，支持LPDDR2/3内存，支持30fps/1080p的高清拍摄回放，性能不弱于同期的高通MSM8260以及Nvidia的Tegra 2。

Galaxy S2

除了Galaxy S2，这款处理器也搭载在Galaxy Note以及魅族MX上面。而之后的Exynos4212更是升级到32nm HKMG制程工艺，主频提高到1.5GHz。

Exynos 4412:四核心Cortex-A9架构

虽然Exynos 4412同样采用4210/4212上的Cortex-A9核心，但32nm HKMG的制程工艺却让Cortex-A9发挥得更完美，以至于Exynos 4412内置4核A9在性能以及功耗上都取得了更好的平衡，GPU方面Exynos 4412依然集成Mali T400，同样支持当时最高规格的LPDDR3，整体性能上和高通Snapdragon S4不相上下，但功耗控制却比S4更优秀。

Galaxy S3

Exynos 4412搭载在Galaxy S3上面，而Galaxy Note2、魅族MX2同样采用这款处理器。

Exynos 7420:更争气的A57 A53架构

Exynos 7420搭载在Galaxy S6系列机型上，是三星首款14nm FinFET LPE工艺的处理器产品，其内置4*A57 4*A53核心，A57主频高达2.1GHz，集成Mali T760 GPU，也是三星首款支持LPDDR4内存的Soc，因为基于14nm LPE工艺，Exynos 7420性能强劲之余也非常火热，但已经比隔壁家的要好。

Galaxy S6 edge

当然，除了上述的3款处理器之外，三星还有相当多值得一提的经典处理器，例如业界首款采用Cortex-A15内核的双核Exynos 5250/四核Exynos 5410，与骁龙810同为A57 A53核心的Exynos 5433。考虑到文章篇幅过长，笔者就不一一解析了。而Exynos 8890作为三星2016年旗舰Soc，它到底是怎样的呢?莫慌，继续往下看。

Galaxy S7处理器共有两个版本

据悉，三星Galaxy S7拥有两个处理器的版本，分别搭载了Exynos 8890以及高通820。而更有消息指国行S7采用的是高通骁龙820版本，而国际版采用的是Exynos 8890，这可能是因为1.国行有电信CDMA制式，而高通820内置的基带以及捆绑的射频芯片组支持全网通，三星也就免去了像Galaxy S6外挂高通基带实现全网通的麻烦事，2.高通骁龙820采用三星14nm FinFET LPP制程工艺制造，换句话来说就是不热了，三星也更愿意使用骁龙820。

Exynos 8890参数解析:自主架构更强大

三星旗舰Soc，Exynos 8890基于三星14nm FinFET LPP工艺（比苹果A9的制程工艺更先进），在制程节点上与上代旗舰Exynos 7420相同，而工艺则从FinFET LPE升级到LPP，拥有更低的漏电率，核心频率也能进一步拉高。而架构方面，8890内置4*Mongoose 4*A53核心（共8核心设计），前面4个自主研发的Mongoose内核主频可达2.3GHz（超频可达2.5GHz）用于提高性能，后面4个A53核心主频为1.56GHz（超频可达2.2GHz）用于兼顾功耗。而GPU（图形处理器）方面则为Mali T880 12核心设计（据悉存在配备16核心的版本）。

Exynos 8890

而内存方面依旧为双通道的LPDDR4，值得一提的是和Exynos 8890捆绑使用的最新Shannon基带（拆解显示为Shannon 935），下行支持Cat 12，理论速度达到600Mbps，而上行也支持到Cat 13，理论速度达到150Mbps。达到了高通X12 LTE基带的性能。

Soc型号	三星Exynos 8890
制程工艺	三星14nm FinFET LPP
核心	4*M1 4*A53
GPU	Mali T880 MP12
协处理器	不详
ISP	不详
基带	双网LTE Cat12/13
RAM支持	双通道LPDDR4
ROM支持	eMMC 5.X/UFS2.0

Exynos 8890性能测试:比上代7420/骁龙810强得多

结果来自Geekbench数据库与GFXbench（全为Offscreen）数据库。

Exynos 8890/骁龙810/Exynos 7420跑分汇总
	Exynos 8890	骁龙810	Exynos 7420
CPU
单核	2294	1228	1487
多核	6908	4198	5030
GPU
Car Chase（fps）	15.3	11.2	9.1
Manhattan 3.1（fps）	25.8	19.7	14.7
Manhattan（fps）	37.7	21.9	26
T-Rex（fps）	81.3	47.9	56.9

由于搭载Exynos 8890的机型还没开卖，所以仅能通过理论跑分成绩来说明其性能表现。单从数据上看来，Exynos 8890的单核性能已经比高通上代旗舰骁龙810以及三星上代旗舰Exynos 7420强不少，Exynos 8890的单核性能基本上是骁龙810、Exynos 7420的两倍，而GPU方面，Exynos 8890同样领先于另外两者，无论CPU性能还是GPU性能都有较大幅度的提升。

而随着Exynos 8890的机型逐渐出货，其驱动以及软件/游戏的优化也会陆续跟上，相信具体性能会继续往上攀升。

14nm LPP工艺的Exynos 8890发热更少

可能很多朋友会对这款处理器产生疑问，这么强大的处理器，发热怎么样。鉴于笔者手上也没有搭载这款处理器的相应机型，所以具体发热状况暂且不妄下定论。但Exynos 8890采用14nm FinFET LPP工艺制造，相信发热“理论”上会得到控制，究竟FinFET是什么?它又有什么作用呢?笔者来简单阐述一下。

FinFET显微图

其实早在10多年前，就有人提出FinFET这个结构，FinFET主要重新设计了晶体管里面的S/D两级以及最为关键的Gate结构（什么是S/D/Gate今天不说，不然文章起码要多2000字），让Gate对通/断的控制力更强，也就是在更先进的制程节点上，减少S/D两级之间的漏电流，而漏电流会直接影响处理器的功耗。而骁龙810的20nm HKMG工艺，就是Gate控制力低下（对于20nm节点），导致漏电问题严重，所以发热以及功耗得不到良好的控制。

FinFET工艺示意图

而台积电/三星在16nm/14nm节点上都使用了FinFET技术，增强了Gate对S/D的控制力，减少漏电流。此外，随着三星14nm FinFET LPE过渡到LPP工艺的成熟，良品率会逐渐上升，成本慢慢下降，也利于三星在晶圆的制造过程中使用更好的工艺去控制功耗。

Exynos 8890的发热情况本站将会进行相应的测试。

总结:三星自主处理器的又一里程碑

搭载Exynos 8890的Galaxy S7已经发布。另外，在15年12月的骁龙820亚洲首秀上，高通表示已经有超过70款终端采用这颗处理器，相信到现在已经突破了这一数字。

Exynos 8890身上有着相当多创新之处，例如自主设计的Mongoose核心以及自主架构 arm 公版架构的双簇式设计，能很好地兼顾高性能与低功耗。整体来说，Exynos 8890的性能表现在2016年夺下安卓手机平台处理器性能宝座并不是问题。

然而，Exynos 8890多核性能秒苹果A9不是问题，而工艺上面也采用比A9 LPE更强的LPP。