宏旺内存和闪存的区别（宏旺半导体告诉你SLC）

有很多朋友分不清Nand Flash、Nor Flash的不同，也搞不懂SLC、MLC、Parallel NOR Flash等究竟是什么意思，今天宏旺半导体就跟大家系统地梳理一下这些名词分别指什么，它们又有什么不同。

在了解这些之前，首先要了解什么是 Flash Memory。Flash Memory就是快闪存储器，即通常说的闪存，是一种非易失性存储器，断电数据也不会丢失。宏旺半导体了解到，根据硬件上存储原理的不同，Flash Memory 主要可以分为 NOR Flash 和NAND Flash 两类：

Nor FLASH使用方便，易于连接，可以在芯片上直接运行代码，稳定性出色，传输速率高，在小容量时有很高的性价比，很适合应用于嵌入式系统中作为 FLASH ROM。

相对于Nor FLASH，Nand FLASH强调更高的性能，更低的成本，更小的体积，更长的使用寿命。这使Nand FLASH很擅于存储纯资料或数据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统。目前，绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的 eMMC 内部的 Flash Memory ，都属于 NAND Flash。PC 中的固态硬盘中也是使用 NAND Flash。

NAND Flash根据存储方式可分为四种：SLC、MLC、TLC、QLC。SLC（Single-Level Cell ）单层式存储，即1bit/cell，存储密度最低、写入数据时电压变化区间小，寿命最长约10万次擦写寿命，稳定性最好，多数应用高端企业级产品。

MLC（Multi-Level Cell）闪存，即2bit/cell，多层式存储，双层存储电子结构，存储密度高于SLC，寿命在3000-5000次，应用民用中高端SSD上。

TLC（Trinary-Level Cell）闪存，即3bit/cell，是目前最流行的闪存芯片，存储密度是MLC的1.5倍，成本更低，使用寿命也更短，在1000-1500次，但稳定性比较差。

QLC(Quad-Level Cel),每单元可存储4比特数据(4bits/cell)，性能、寿命进一步变差，只能经受1000次编程/擦写循环，但是容量进一步提升，成本也继续降低。

宏旺半导体稍稍总结一下，简单来说，这四类当中，SLC的性能最优，价格超高，一般用作企业级或高端发烧友；MLC性能够用，价格适中为消费级SSD应用主流；TLC综合性能最低，价格最便宜，但可以通过高性能主控、主控算法来弥补、提高TLC闪存的性能；QLC出现的时间很早，价格便宜，容量大。

SLC是企业级服务器用的，MLC已经逐渐退出市场，目前TLC是普通用户主流存储颗粒。宏旺半导体也有SLC颗粒高性能存储产品，有需要可以来找宏旺聊聊。

根据与CPU 端接口的不同，NOR Flash可以分为Parallel NOR Flash 和 Serial NOR Flash 两类。Parallel NOR Flash 可以接入到 Host 的 SRAM/DRAM Controller 上，所存储的内容可以直接映射到 CPU 地址空间，不需要拷贝到 RAM 中即可被 CPU 访问，因而支持片上执行。Serial NOR Flash 的成本比 Parallel NOR Flash 低，主要通过 SPI 接口与 Host 连接。

相信通过上述的分享，大家应该对这些名词有了一定的了解。宏旺半导体ICMAX后期会给大家带来更多与存储行业相关的文章，有什么不明白的欢迎留言私信，一定要记得关注宏旺半导体哦！