目前国内光刻胶最高水平（日本卡脖子仅2个月后）

国产芯片星辰大海又迈出一步，国产光刻胶获重大突破！

众所周知的是，受制于美国在芯片领域的封锁，我国近年来的芯片制造技术发展一直备受瞩目，尤其是光刻机的制造技术更是成为了我国芯片制造领域发展的重中之重。

但实际上，除了光刻机制造等关键因素外，芯片制造领域还需要很多必不可少的特种辅助材料。

也是因此，如果想真正实现美国在芯片领域的技术封锁，那么只有全面实现芯片全产业链的国产化才是唯一解法。

所以，除了突破芯片制造和光刻机制造这些关键制造因素外，目前而言光刻特种辅助材料的国产化突破也值得关注。

这不，就在5月份，日本就对中国断供了光刻过程中的关键耗材——光刻胶，直接导致国内多家晶圆厂将会面临KrF光刻胶大缺货的处境。

据悉，光刻胶的质量和性能对光刻工艺有着重要影响，但是其技术壁垒很高，因此长期被日本等国家所主导，日本在光刻胶领域但市场份额就超过了85%！

也是因此，光刻胶一直以来都是半导体国产化的一道大坎。

除此之外，值得一提的是，这已经不是日本第一次对外封锁自己的光刻胶技术了。2019年时日本也曾向韩国断供过光刻胶，最终导致韩国在光刻胶领域不得不向日本低头！

但好消息是，日本在光刻胶领域对中国封锁还不到两个月的时间后，中国国产的光刻胶领域就传来了好消息！

近日，有媒体报道称，南大光电的ArF光刻胶目前已经拿到了小批量订单！

这也意味着国产光刻胶目前已取得重大突破，光刻胶终于突破日本的封锁，实现了国产化！

壹

什么是光刻胶，为什么它在半导体领域如此之重要？

光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。

光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求！

在20世纪80年代时，美国的IBM曾一度垄断了光刻胶市场。当时，由美国IBM率先突破了KrF光刻，并在此后的十余年时间里形成了垄断。

但当时，由于半导体的工业发展尚未达到需要KrF光刻大规模放量的时代，也就是说KrF光刻实际上是一个“早产儿”。因此，当时的KrF光刻市场增速十分的缓慢！

直到，1995 年日本东京应化（TOK）成功突破了高分辨率 KrF 正性光刻胶TDUR-P007/009 并实现了商业化销售，才真正的打破了IBM 对于 KrF 光刻胶的垄断。

也是因此，从1995年开始光刻机市场也逐步从美国主导演变为佳能、尼康为龙头的时代，光刻胶市场也正式进入了日本厂商的霸主时代！

至今为止，全球光刻胶的市场份额，单日本就掌握了超过85%，尤其在高分辨率的KrF、ArF和EUV光刻胶领域。

但很多人可能不知道的是，我国在光刻胶领域的研究和布局实际上也早在20世纪70年代就开了，最早的时候几乎是和日本站在同一起跑线上。但最终受制于技术、资金和人才等因素，导致我国和日本的光刻胶领域水平差距越来越大。

根据数据显示，目前我国光刻胶行业与海外最先进水平之间的差距已经达到40年之久！

也是因此，此次南大光电的ArF光刻胶突破无疑是我国在整个光刻胶行业，乃至整个光刻机和半导体行业国产化追赶所迈出的重要一步。

贰

不骄不躁，国产半导体行业快速追赶、前行！

在5月份日本对中国断供光刻胶时，日本方面给出的理由是因为“KrF光刻胶的产能有限”，但当时就有分析人士认为日方的断供理由虽然听上去很完美，但实际上也是漏洞百出，所谓的产能有限，只不过是日方编造的借口而已。

这一点从今年台积电斥资1.9亿美元在日本建厂就可以看出，因为台积电此次在日本的建厂并不是建设晶圆代工厂，而是建设化学原料厂在芯片材料上展开布局。

众所周知的是，一直以来台积电对于厂址的选址很看重，因此如果日本KrF光刻胶等半导体的原料不足，台积电也不会把自己的化学原料厂建在日本。

其次，美国近年来一直在封锁我国的半导体领域，而日本则是对美国此举响应最积极的国家之一。因此，日本在此时选择断供中国光刻胶实际上并不排除是在向美国示好。

总而言之，在整个半导体领域，要想全面实现美国的全面封锁，除了光刻机和芯片制造等关键领域需要实现全面国产化替代以外，包括这个产业链中的上下游环节也需要实现国产化替代，才能真正不被别人卡脖子。

目前，芯片原材料领域虽然国内已经有部分原材料实现了国产化的自主生产，但还有包括硅片、光掩膜、电子特气、抛光材料、溅射靶材在内的众多原材料完全依赖进口。

这也就意味着，中国半导体行业未来的发展依旧任重而道远！

但我们也同时坚信，以国人的智慧和拼搏精神，只要我们奋力追赶，未来这次细分行业都将最终实现国有化替代的惊人突破！

有了目标我们就有了前进的方向！

不骄不躁，奋力前行，期待有朝一日国产化半导体再次让全世界重新对中国的科技力量刮目相看！