G-MRCO-052位移传感器原理(G-MRCO-052位移传感器原理)

大家好,我是【广州工控传感★科技】G-MRCO-052位移传感器事业部,张工。

G-MRCO-052位移传感器用用于工业、机器人和医疗应用领域。严苛环境中的高级应用需要即使暴露于油渍、污垢和灰尘中也能应对。 凭借其 Magneto Resistive 技术和可用的外形规格,KMXP 传感器提供比常用的霍尔传感器更高的精度,设计为在包括高温在内的严苛环境中提供可靠和准确的测量。G-MRCO-050传感器测量原理基于各向异性磁阻效应(AMR 效应)。这些传感器提供两种不同的能量 DFN 封装,可用于多个定位选项。

G-MRCO-052位移传感器原理(G-MRCO-052位移传感器原理)(1)

在电子时代,

磁阻

传感器广泛应用于电机、汽车工业、工业自动控制、机器人、楼宇办公自动化、家用电器等领域,如用于感知速度、运动和方向。 其中,霍尔效应传感器历史最悠久,是最受欢迎的磁传感器之一。 霍尔传感器功耗低、占地面积小、距离感应、可靠性高、

寿命长

被应用于电机转码计数、开关位置检测、防护 篡改检测。 中间。

G-MRCO-052位移传感器原理(G-MRCO-052位移传感器原理)(2)

作为一种流行的磁传感器技术,G-MRCO-052磁阻传感器的原理是当对导体施加垂直磁场时,在载流导体(通常称为霍尔元件)中产生差分电压。 电压是由外加磁场引起的洛伦兹力的结果,它使电流电子集中在导体的一端,并在两端之间产生电位差。

具体来说,G-MRCO-052 磁阻力传感器由一块薄的矩形 p 型半导体材料组成,它自身携带连续电流。 当器件放置在磁场中时,磁通量线对半导体材料施加一个力,使电荷载流子、电子和空穴偏转到半导体板的任一侧。 电荷载流子的这种运动是它们通过半导体材料所经历的磁力的结果。 当这些电子和空穴横向移动时,通过这些电荷载流子的积累,在半导体材料的两侧之间会产生差分电压或电位差。

G-MRCO-052位移传感器原理(G-MRCO-052位移传感器原理)(3)

上图显示了 G-MRCO-052 磁阻传感器的电流、电压和磁场之间的关系。 产生的电压通常称为霍尔电压 (VH)。 无磁场时,电流电子分布均匀,VH为零。 当施加磁场时,电流电子的分布受到干扰,将导致与电流和施加磁场的叉积成比例的非零 VH。 电流通常是固定的,从而导致 VH 与施加的磁场之间存在直接关系。

电压随磁场的强弱而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低。 霍尔电压值很小,通常只有几毫伏,但经过集成电路中的放大器放大后,电压可以放大到足以输出更强的信号。

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