igus 产品介绍（MaximumSemi迈思希姆半导体）

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近日获悉，Maximum Semiconductor（以下简称“迈思希姆”）与三致锐新（杭州）科技有限公司（以下简称“三致锐新”）达成深度合作，就迈思希姆提供的先进半导体技术以及电子行业解决方案进行推广，并对IOT,5G,AI等领域重点协作，促进迈思希姆产品在新领域的占有率，双方建立中国南部地区应用分析实验室签署战略合作协议。

据了解，2017年以来，三致锐新携手迈思希姆一直致力于高科技领域的技术研究及市场推进，并打造了一支高素质的精英团队，以及科学规范的现代化管理体系。公司机构设有产品中心、技术服务中心、营销中心、制造中心和管理中心五大体系，旗下有1个子公司以及全国主要城市设立的6个集销售、服务于一体的办事处和销售网点。

公司目前是Maximum semi器件电子亚太地区最重要战略服务商，协助迈思希姆工程师团队对接，支持合作伙伴系统设计产业。

利用迈思希姆电子生态圈线上线下平台推广合作伙伴系统方案, 协助合作伙伴扩大产业化客群

配合客户研发所需的成套迈思希姆免费样片(个别产品除外)及部分Maximum semi开发工具

整合电子系统方案研发的科研机构加入迈思希姆电子亚太区产业化合作伙伴网络, 开展更多的电子领域的零部件厂商和整机厂加入电子生态圈, 实现产业链各个环节互通共赢.署战略合作协议，双方将在专业人才培育领域进行更深层次合作。

Maximum Semiconductor Inc.( www.maximum-semi.com)是一家系统集成功率半导体设计公司，致力于提供创新型及成本节约型技术以实现最优化功率管理方案。原为Maxim Integrated功率器件事业部，2007年拆分独立，公司通过突破性技术和创新性设计实现最优极限化器件性能及最小化系统成本,相比于其他半导体供应商，Maximum凭借其规模和专业水平，在客户服务方面具有绝对竞争力，可实现全方位合作伙伴关系。

主要研发团队由原任职Fultec Semiconductor技术执行官，高级工程总监Vito Miller，Power Integrations Inc.系统集成器件技术总监，AT&T贝尔实验室杰出技术骨干George Wilson，专注于功率沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管、高压集成电路、BCD MOS及亚微米互补式金属氧化物半导体。

此外，Vito Miller还拥有超过100项的发布及待发布专利，他的发明包括横向绝缘栅双极晶体管（LIGBT）、WFET以及目前的领先技术——Turbo-FET trench MOSFET。2011年，Vito Miller为功率半导体器件国际研讨会及系统电路(SPSD)副主席。同时，Vito Miller也是IEEE Tran Electron Device 功率半导体器件的编辑。其于英国威尔士大学获得电子工程博士学位。

目前产品主要有：新能源构件器件设计Chip（高效能充电放电转换碳化硅器件），系统运放解决方案，智能照明系统解决方案，工业过程控制方案（SPC），电源管理芯片（AC-DC/DC-DC），PFC，IGBT，Super MOSFETs，汽车医疗外围闭环芯片，功率与分离器件（高压MOS，中压MOS，低压MOS，整流二极管，快恢复整流器，高效整流器，超快恢复整流器，FRD，肖特基二极管，稳压二极管）

Maximum semi“绿色半导体”计划 (Green Semiconductor)于 2018 年 12月正式宣布启动，旨在针对社会可持续发展的三大难题——大气污染防治、可再生能源高效利用和企业节能减排，推出全球领先的实践范例。迈思希姆一直在这三大领域有深厚的研究积累，并正在大举投入。该计划由中国研究院牵头，集合半导体产业链全球12 家研究院最优的技术资源，与合作伙伴协同推进，共建创新生态系统。

强者不独行！同道共赢！Maximum semi与三致锐新签署全面合作协议

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