mos管的工作原理及应用（详解MOS管及其结构原理图）

什么是 mos 管mos 管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体MOS 管的 source 和 drain 是可以对调的，他们都是在 P 型 backgate 中形成的 N 型区在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能这样的器件被认为是对称的，我来为大家讲解一下关于mos管的工作原理及应用?跟着小编一起来看一看吧!

mos管的工作原理及应用

什么是 mos 管

mos 管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS 管的 source 和 drain 是可以对调的，他们都是在 P 型 backgate 中形成的 N 型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET 的增益等于它的 transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为 N 沟道和 P 沟道，详情参考右侧图片（N 沟道耗尽型 MOS 管）。而 P 沟道常见的为低压 mos 管。

场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以 FET 管的 GATE电流非常小。最普通的 FET 用一薄层二氧化硅来作为 GATE 极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为 MOS 管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

mos 管优势

1. 可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2. 很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3. 可以用作可变电阻。

4. 可以方便地用作恒流源。

5. 可以用作电子开关。

6. 在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作。另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配。

MOS 管结构原理图解

1、结构和符号（以 N 沟道增强型为例）

在一块浓度较低的 P 型硅上扩散两个浓度较高的 N 型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

其他 MOS 管符号

2、工作原理（以 N 沟道增强型为例）

（1）VGS=0 时，不管 VDS 极性如何，其中总有一个 PN 结反偏，所以不存在导电沟道。

VGS=0，ID=0

VGS 必须大于 0，管子才能工作。

（2）VGS》0 时，在 Sio2 介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥 P 区多子空穴而吸引少子电子。当 VGS 达到一定值时 P 区表面将形成反型层把两侧的 N 区沟通，形成导电沟道。

VGS》0→g 吸引电子→反型层→导电沟道

VGS↑→反型层变厚→VDS↑→ID↑

（3）VGS≥VT 时而 VDS 较小时：

VDS↑→ID↑

VT：开启电压，在 VDS 作

用下开始导电时的 VGS°

VT=VGS—VDS

（4）VGS》0 且 VDS 增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断，形成夹断区。

VDS↑→ID 不变

mos 管三个极分别是什么及判定方法

mos 管的三个极分别是：G（栅极），D（漏极）s（源及），要求栅极和源及之间电压大于某一特定值，漏极和源及才能导通。

1. 判断栅极 G

MOS 驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用：假如 MOS 管的 G 信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS 管发烧严峻，易热损坏 MOS 管 GS 间存在一定电容，假如 G 信号驱动能力不够，将严峻影响波形跳变的时间。

将 G-S 极短路，选择万用表的 R×1 档，黑表笔接 S 极，红表笔接 D 极，阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大，并且交换表笔后仍为无限大，则证实此脚为 G 极，由于它和另外两个管脚是绝缘的。

2. 判断源极 S、漏极 D

将万用表拨至 R×1k 档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是 S 极，红表笔接 D 极。因为测试前提不同，测出的 RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。

3. 丈量漏 - 源通态电阻 RDS（on）

在源 - 漏之间有一个 PN 结，因此根据 PN 结正、反向电阻存在差异，可识别 S 极与 D 极。例如用 500 型万用表 R×1 档实测一只 IRFPC50 型 VMOS 管，RDS（on）=3.2W，大于 0.58W（典型值）。

测试步骤：

MOS 管的检测主要是判断 MOS 管漏电、短路、断路、放大。

其步骤如下：

假如有阻值没被测 MOS 管有漏电现象。

1、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则 MOS 管漏电，不变则完好

2、然后一根导线把 MOS 管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回无限大，则 MOS 完好。

3、把红笔接到 MOS 的源极 S 上，黑笔接到 MOS 管的漏极上，好的表针指示应该是无限大。

4、用一只 100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和漏极上，然后把红笔接到 MOS 的源极 S 上，黑笔接到 MOS 管的漏极上，这时表针指示的值一般是 0，这时是下电荷通过这个电阻对 MOS 管的栅极充电，产生栅极电场，因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。

MOS 管（场效应管）的应用领域

1：工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源

2：新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机

3：交通运输领域、车载逆变器、汽车 HID 安定器、电动自行车

4：绿色照明领域、CCFL 节能灯、LED 照明电源、金卤灯镇流器

MOS 管降压电路

图中 Q27 是 N 沟道 MOS 管，U22A 的 1 脚输出高电平时 Q27 导通，将 VCC—DDR 内存电压降压，得到 1.2V—HT 总线供电，而 U22A 的 1 脚输出低电平时 Q27 截止，1.2V_HT 总线电压为 0V。