晶体管放大电路频率特性的分析(音频放大功率晶体管特征频率)

音响界很多朋友认为音 频功率晶体管应选用特征频率ft高 的晶体管,以提高功率放大器的瞬 态特性,还有人认为f,值越高越好 有些音响制作类资料还特别强调应 选用高频功率管,我来为大家讲解一下关于晶体管放大电路频率特性的分析?跟着小编一起来看一看吧!

晶体管放大电路频率特性的分析(音频放大功率晶体管特征频率)

晶体管放大电路频率特性的分析

音响界很多朋友认为音 频功率晶体管应选用特征频率ft高 的晶体管,以提高功率放大器的瞬 态特性,还有人认为f,值越高越好。 有些音响制作类资料还特别强调应 选用高频功率管。

事实上,音频功率 晶体管的特征频率ft并不是越高越 好,而应该适可而止。如果将末级功 率管的fr选得过高,反而会产生严重 的高频自激。为了消除高频自激,又 得加入较大的移相校正电容,可移相 校正电容正是瞬态失真的元凶。

现在音响界普遍使用的 一些日本管,据说ft都在30MHz至 90MHz,这是怎么回事呢?

在日本晶体管手册中,频率特 性一栏的标注分别标有fab、ft两个参数,但对应每一种 型号的晶体管,只给 出其中一个参数,为 了区别,在标注fab 的参数后面加上*号。 此fab和国产晶体管 手册中的fa定义是相 同的,即共基极截止 频率,其定义是在规 定的集电极-基极电压(Vcb)和集电极电流(Ic)的 条件下,共基极小信号电流放 大系数随频率的增高而下降到 最大值的0.707倍时所对应的 频率。

而ft参数的定义是:在 规定的集电极-发射极电压 (Vce)和集电极电流(Ic)的 条件下,共发射极小信号电流放大系数hfe为1时的频率。fab和ft都是晶 体管的频率参数,但由于定义不同,其数值 也就有很大差异。

对同一只晶体管而言,其 fab(fa)值远大于ft。是 不是国内人士把日本晶体管的fab参数看成 了ft参数?

为了证实这个问题,做了如 下实验:

用一台高频信号发生器送出10MHz 信号,用一只据称ft为50MHz的2SC2922 按共发射极组态作调谐放大,结果不能正常 放大信号(将2SC2922换成3DG12高频管, 工作正常)。

在共发射极调谐放大器中 .一般只要ft大于实际应用频率三至五倍的晶体 管就能胜任,而本例2SC2922在10MHz频 率时不能放大信号,证明其ft值没有达到 50MHz。

这就证实了本人的猜想:这个 50MHz的数据不是ft值,而是fab。

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