晶闸管场效应管和igbt的区别(晶闸管的结构和基本原理)

晶闸管场效应管和igbt的区别(晶闸管的结构和基本原理)(1)

内部形成三个PN节(J1,2,3)。

A,K分别为阳极与阴极,G是控制端(门极)

(类似二极管多个门极)

晶闸管场效应管和igbt的区别(晶闸管的结构和基本原理)(2)

2、晶闸管工作原理

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条件:正向的阳极电压,门极电流。导通后门极控制失去作用。

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晶闸管开通后,正向的阳极电流的增长不可能是瞬时的。(关断同理)

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晶闸管主要参数:

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百分之90(下同)

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派生器件:

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目前,PIC和IPM器件的发展非常迅速,电力电子装置的集成化程度进一步加强—高效、节能、节材。随着控制理论与功能强大的微处理器的应用,为实现电力电子装置小型轻量化、智能化提供了重要的技术基础。功率集成电路和智能功率器件也称为第三代电力电子器件未来要求效率更高,成本更小,稳定性好,全自动化能力强,更加绿色,体积也合适。

门极可关断晶闸管(Gate Turn Off Thyristor--GTO)是一种具有自关断能力的闸流特性的电力半导体器件。门极加上正向脉冲电流时就能导通,加上负脉冲电流时就能关断,从而克服了普通晶闸管的缺点。

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