芯片内部就是很多个pn结组成吗（芯片制造工艺第三集-PN结）

芯片制造工艺第三集-PN结（为什么二极管能单向导电？），下面我们就来说一说关于芯片内部就是很多个pn结组成吗?我们一起去了解并探讨一下这个问题吧!

芯片内部就是很多个pn结组成吗

芯片制造工艺第三集-PN结（为什么二极管能单向导电？）

在半导体制造工艺的第二集，我们通过掺杂工艺向晶圆中注入了离子，还提到了P-N结。

这一集，解释什么叫P-N结 ，顺便把之前两集没有讲清楚的地方讲明白。

半导体材料按纯度可以分为两类，本征半导体和杂质（掺杂）半导体，本征半岛体不含杂质，导电性很差。杂质半导体的导电性能好。

纯度达到99.99999999。。。的硅晶圆可以被看作本征半导体，因此制作芯片的时候，我们要通过掺杂工艺注入离子，把它变为za杂质半导体，增强导电性。

依据注入的离子所带的外层电子的数量，杂质半导体分为N型和P型

注入的离子外层电子比硅多一个，这块半导体就是N型（砷，磷，锑）。

注入的离子外层电子比硅少一个，那么就是P型（硼）。

硅的外层电子有四个，我们第一集注入了磷，磷的外层电子有五个 ，其中四个和硅形成稳定的共价键，多出来的一个成为了自由电子。这是N型硅。

我们再往另外一边注入硼，硼的外层电子有3个，都和硅形成共价键，这里还空出 一个位置，我们称为空穴。这是P型硅。

P型硅和N型硅的交集区域我们称为PN结。

在半导体领域，能自由运动的带电粒子也就是空穴和电子都被称为“载流子”

那你就要问了，空穴不就是个失去电子的空地儿吗，怎么可以自由运动呢？

这只是一个人为的定义，我现在让电子运动起来，你看，是不是可以理解为空穴在反向运动？

所有载流子，电子和空穴，都有从高浓度向低浓度流动的倾向。所以N型硅中的电子，会向电子浓度低的的P型硅移动。P型硅中的空穴则会反向运动。

本来两侧都是电中性，由于载流子的移动，左边这个位置，得到额外的电子，带上负电。同样的道理，右边失去电子带上正电。

你看，在NP交界的位置，N型硅失去了自由电子，P型硅失去了空穴，它们都不再拥有可以自由运动的载流子，这个载流子被耗尽的区域我们称为耗尽区，也叫势垒区。

如果剩下的载流子们还要迁徙，就需要外部提供足够的能量让它们能够穿过这个耗尽区。

当半导体两端这样通上电时,自由电子与空穴复合,耗尽区越来越大,表现出半导体不导电.这种情况叫反向偏置。c

我们把电源倒转，势垒被打破，自由电子与空穴分离,形成电流，这叫正向偏置。

于是PN结就为这块半导体材料带来了单向导电性，这就是二极管单向导电的原理。

正向偏置打破电势垒的过程牵涉到“能带”与“能级“的概念，今后的视频会再解释。

有什么地方看不懂请提出来，如果无法提出问题，但就是看不明白，也请告诉我，我会反思和调整自己的表达方式，也会再次确认自己是否对这部分知识理解有误。谢谢你哦！

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