三星s6edge存储扩展（三星S6S6Edge存储性能太强）

3月6日消息，经历Galaxy S5惨淡和业绩大幅下滑的2014年后三星迫切想要在 Galaxy S6 上找回以往的辉煌。三星这次似乎把自己最好的东西都给了 Galaxy S6，因此我们能看到三星 Galaxy S6 的处理器 Exynos 7420 在跑分数据上大幅领先于其他对手，而这次存储性能测试上三星 Galaxy S6 / S6 Edge 的表现更加惊人，性能几乎是竞争对手的数倍。

在AndroBench的随机读取测试中(得分越高越好)，Galaxy S6 / S6 Edge 达到了惊人的77.2分。而排名第三到第五的三星 Galaxy Note、LG G3、以及索尼 Xperia Z3，则只有20.56、15.71、以及14.78分左右。

另外在AndroBench的顺序写入测试中(得分越高越好)，Galaxy S6 / S6 Edge 更是达到了139.08 分的高分。而三星 Galaxy、LG G3、以及索尼 Xperia Z3 则分别只有 34.26、22.29、以及 44.43 分。

而在 AndroBench 的顺序读取测试中(得分越高越好)，Galaxy S6 / S6 Edge 也是达到了逆天的 314.87 分。而自家 Note 4、LG G3、索尼 Xperia Z3 则只有147.05、164.08、以及 217.17 分。

三星 Galaxy S6 / S6 Edge 的存储性能在各项测试中都完胜其他测试对手，这是因为三星 Galaxy S6 / S6 Edge 采用了最新的 UFS 2.0 存储技术。UFS 存储技术堪称是当今高端移动设备最佳的内存存储解决方案，UFS内存采用“命令队列（Command Queue）”技术，该技术常用于固态硬盘（SSD）中，通过串行接口加快命令执行速度，与采用 8 位并行接口的eMMC标准相比，数据处理速度得到大幅提高。

因此，三星此次推出存储读取速度达到 19000 IOPS，是高端智能手机中常用的 eMMC 5.0 嵌入式内存（7000 IOPS）的 2.7 倍，普通高速内存卡（1500 IOPS）的 12 倍，其超快的处理速度将大大提升系统性能。此外，新产品的连续读写性能也提升到了 SSD 水平，而功耗则降低了 50%。