未来存储发展的趋势（存储巨头们对技术未来的看法）

来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自techinsights，谢谢。

本月初，年度存储盛会FMS在美国隆重举办。会上，来自全球的存储巨头分享了他们的技术未来的看法和观点。

Techinsights首先指出，在 FMS2022 上，所有与会者庆祝了一个重要的里程碑，即 NAND 闪存发明35周年。今年会议的关键词似乎是 ：

• CXL-Memory (CXL-DRAM, CXL-NAND),

• Optane XPoint Memory 倒闭,

• 新的和下一代 2XX 3D NAND 产品,

• Chiplets,

• 基于ZNS的存储系统。

在会议期间和面对面会谈期间，进行了许多关于关键词的演示和讨论。新的存储产品送样，例如 BittWare PCIe 5.0/CXL FPGA 加速器、IBM Elastic Storage System 3500、Infinidat InfiniBox SSA II、铠侠 CM7 系列 E3.S 企业 NVMe SSD、Phison X1 基于控制器的 SSD 平台、Pliops XDP、三星内存- 推出semantic CXL SSD、ScaleFlux CSD 3000 SSD、Solidigm P41 Plus SSD with 144L-Q、Supermicro Petascale All-Flash Server with DDR5 and PCIe5.0、Swissbit PCIe-SSD N-30m2，以及YMTC 的X3-9070 with Xtacking 3.0出现在他们展台上。

在 3D/4D NAND 和 SSD 技术方面，行业领导者在主题演讲中宣布了他们的新产品和芯片样品，当中包括了三星、SK 海力士/Solidigm、铠侠、西部数据和长江存储。

从主题演讲中要知道的一些事情

1.三星重点介绍了推动大数据市场的 4 个技术进步领域；数据移动、数据存储、数据处理和数据管理。三星宣布推出“内存语义 SSD”，它结合了存储和 DRAM 内存、AI 和 ML 优化存储的优势。该公司于 5 月开发的业界首款 UFS 4.0 移动存储推出。计划于本月开始量产。三星强调了 SmartSSD 和 CXL DRAM，它们旨在避免当前内存和存储架构的瓶颈。

2.SK 海力士最近于 7 月向客户交付了第一款 V8 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存，预计将于 2023 年开始量产。SK 海力士正在开发 1Tb 的238 层产品。该公司还推出了首个基于 DDR5 DRAM 的 CXL 样品。Solidigm 推出了配备 144L-Q 的 P41 plus SSD。他们还在主题演讲中展示了世界上第一个工作的 Penta-Level Cell (PLC) SSD 芯片样品，其 192L-Q 首次能够在每个存储单元存储 5 位数据，相同占用空间内的数据增加 25%与四级单元 (QLC) SSD 相比。

3.铠侠推出基于MLC（2bit/cell）BiCS FLASH的第二代XL-FLASH单片机解决方案。第一代是基于 SLC 的。Gen2 XL-FLASH 的内存容量为 256Gb/die。产品样品发货计划于 11 月开始，预计 2023 年开始量产。

4.长江存储推出X3-9070 TLC 3D NAND Flash样品产品，搭载Xtacking 3.0 Architecture, 4th gen。3D NAND（1Tb TLC 芯片， 232L 6 平面设计）。

关于英特尔最近宣布退出的 Optane XPoint Memory，FMS 2022 大会上召开了特别会议。Chuck Sobey（FMS 会议主席）和一些分析师（Tom Coughlin、Jim Handy 和 Dave Eggleston）与一些英特尔人员一起回顾了它的历史、业务和问题。

简而言之，Optane（XPoint Memory）性价比不高，不会成为未来产品的一部分。尽管 Optane XPoint Memory 正在逐渐减少，但它奠定了持久内存的价值，并被用于设计和制造创新的存储系统。此外，它确实有助于推动 CXL 接口存储器技术的发展。

会议上的一些经验教训和讨论

• XPoint 是全新的 PCM

• 自 2016 年以来，英特尔傲腾 DIMM 和持续内存损失总计超过 70 亿美元

• 光刻和产品成本限制了 XPoint 两层或四层堆叠，这导致难以实现更高密度（不再是 Gen3）

• 连贯持久记忆的价值有限

• 例如，与微软的有限合作伙伴关系失败了

• CXL接口SSD未来可能会取代Optane持久内存或SCM（Storage Class Memory）市场

从 FMS2022 开始，关于 Memory 的 10 大预测可以总结为

• NAND 的未来是 NAND（不会被任何 EM/XPoint 取代）

• DRAM 的未来是 DRAM（不会被任何 EM/XPoint 取代）

• 记忆墙是真实的，而且越来越糟

• 三星和 SK 海力士考虑成本和市场需求的不仅仅是揭示新技术节点，这与美光不同。

• 计算存储/内存正在变得流行

• CXL将成为存储和数据中心的主流

• MRAM 在嵌入式设备中越来越普遍

• FLASH HDD等混合存储系统仍未死

• 元数据管理越来越重要

• Optane XPoint 内存已不复存在，CXL-DRAM/NAND 内存将取而代之，用于 SCM 应用。

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