工程电磁场基础及应用第2版答案（工程电磁场复习基本知识点）
第一章 矢量分析与场论 1 源点是指 。 2 场点是指 。 3 距离矢量是 ，表示其方向的单位矢量用 表示。 4 标量场的等值面方程表示为 ，矢量线方程可表示成坐标形式 ，也可表示成矢量形式 。 5 梯度是研究标量场的工具，梯度的模表示 ，梯度的方向表示 。 6 方向导数与梯度的关系为 。
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第二章 静电场
1 点电荷q在空间产生的电场强度计算公式为 。
2 点电荷q在空间产生的电位计算公式为 。
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6 处于静电平衡状态的导体，导体表面电场强度的方向沿 。
7 处于静电平衡状态的导体，导体内部电场强度等于 。
8处于静电平衡状态的导体，其内部电位和外部电位关系为 。
9 处于静电平衡状态的导体，其内部电荷体密度为 。
10处于静电平衡状态的导体，电荷分布在导体的 。
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17 介质中极化电荷的体密度
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20 电位移矢量D，电场强度矢量E之间的关系为 。
21 电介质强度指的是 。
22 静电场中，电场强度的旋度等于 。
23 静电场中，电位移矢量的散度等于 。
24 静电场中，电场强度沿任意闭合路径的线积分等于 。
25 静电场中，电位移矢量在任意闭合曲面上的通量等于 。
26 静电场中，电场强度的分界面条件是 。
27 静电场中，电位移矢量的分界面条件是 。
28 静电场中，电位满足的泊松方程是 。
29 静电场中，电位满足的分界面条件是 。
30 静电场中，电位在两种介质分界面上的法向导数满足 。
31 静电场中，电位在两种介质分界面上的切向导数满足 。
32 静电场中，电位在导体介质分界面上的法向导数满足 。
33 静电场中，电位在导体介质分界面上的切向导数满足 。
34 静电场边值问题中第一类边界条件是 。
35 静电场边值问题中第二类边界条件是 。
36 静电场边值问题中第三类边界条件是 。
37 元电荷dq在空间产生的电场强度计算公式为 。
38 元电荷dq在空间产生的电位计算公式为 。
39 静电场基本方程的微分形式为 。
40 静电场边值问题是指 。
第三章 恒定电场
1 体电流密度的单位是 。
2 面电流密度的单位是 。
3 体电流密度与电荷速度间的关系为 。
4 面电流密度与电荷速度间的关系为 。
5 电流密度与电场强度间的关系为 。
6 局外电场定义是 。
7 电源电动势的定义为 。
8 电流连续性方程积分形式的数学表达式为 。
9 电流连续性方程微分形式的数学表达式为 。
10 恒定电场中电流连续性方程积分形式的数学表达式为 。
11 恒定电场中电流连续性方程微分形式的数学表达式为 。
12 恒定电场基本方程是 。
13 恒定电场辅助方程是 。
14 欧姆定律的微分形式为 。
15 恒定电场电场强度与电位关系为 。
16 电源外恒定电场电位满足的方程为 。
17 恒定电场中两导电媒质分界面上，电流密度的分界面条件是 。
18 恒定电场中在已知导电媒质电导率的情况下，在分界面上，电位的法向导数满足的分界面条件是 。
第四章 恒定磁场
1 体电流元、面电流元和线电流元分别表示为 、 、 。
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10 库伦规范表示为 。
11 曲面S上的磁通为曲面上 的通量，表示为 。
12 用矢量磁位计算磁通的公式为 。
13 磁通连续的微分表示为 。
14 磁感线方程表示为坐标形式为 ，表示为矢量形式为 。
15 在平行平面场中，磁感线就是 。
16 磁感应强度的旋度等于 。
17 半径为R的直导线通有电流I，电流均匀分布，导线内部的磁感应强度为 ，外部的磁感应强度为 。
18 无限大平面上有电流分布，电流面密度K为常矢量，平面两侧磁感应强度的大小为 。
19 磁偶极子是围成的面积很小的载流回路，设回路面积为S，回路电流为I，则磁偶极子的磁偶极矩m= 。
20 磁化强度M的物理含义是 。
21 磁化电流的体密度JM= 。
22 磁化电流的面密度KM= 。
23 磁场强度H，磁感应强度B，磁化强度M间的关系为 。
24 对于线性、各向同性介质，磁场强度H和磁感应强度B间的关系为 。
25 恒定磁场基本方程的微分形式为 。
26 恒定磁场的辅助方程为 。
27 磁感应强度的分界面条件是 。
28 磁场强度的分界面条件是 。
29 当分界面上无自由电流时，磁场强度的分界面条件是 。
30 磁场强度的旋度等于 。
31 磁场强度沿任意闭合环路的线积分等于环路环绕的 。
32 矢量磁位的泊松方程为 。
第五章 时变电磁场电场
1 法拉第电磁感应定律的实质是变化的磁场产生 。
2 变压器电动势是指 。
3 发电机电动势是指 。
4 由变化磁场产生的电场称为感应电场，感应电场的旋度等于 。
5 位移电流密度定义为JD= 。
6 有三种形式的电流，分别为 ， ， ，相应的电流密度形式分别为 ， ， 。
7 位移电流假设的实质是变化的电场产生 。
8 全电流定律的微分形式为 。
9 写出麦克斯韦方程组的积分形式及其辅助方程。
10 写出麦克斯韦方程组的微分形式及其辅助方程。
11 两介质分界面上电场强度的折射定律为 。
12 两介质分界面上磁场强度的折射定律为 。
13写出向量形式的麦克斯韦方程组的微分形式及其辅助方程。
第六章 镜像法
1 实施镜像法的理论基础是 。
2 在实施镜像法的过程中，不可以变的是 ， ，
，可以变的是 ， 。
3 写出实施镜像法的步骤。
4 无限大导体上方h处有一点电荷q，则上半空间任意一点处的电场强度为 。
5无限大导体上方h处有一点电荷q，导体表面电场强度分布规律为 。
6 无限大导体上方h处有一点电荷q，导体表面感应电荷的面密度分布规律为 。
7 直角区域的边界电位为0，一点电荷到两边界的距离分别为a，b，以直角区域为求解电场的区域，写出镜像电荷。
8接地导体球半径为R，球外距球心d处有一点电荷q，以导体球外为求解空间，则镜像电荷q’= ，距球心距离 。
9 接地导体球半径为R，球外距球心d处有一点电荷q，则导体外空间电场强度为 。
10 接地导体球半径为R，球外距球心d处有一点电荷q，则导体球面上距q最近点的电场强度为 ，距q最远点的电场强度为 。
11 接地导体球半径为R，球外距球心d处有一点电荷q，则导体球面上的感应电荷面密度为 。
12 不接地导体球半径为R，球外距球心d处有一点电荷q，则导体球电位为 。
13 距无限大电介质分界面h处放置一点电荷q，点电荷在第一种介质中，两种介质的介电常数分别为
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，以第一种介质为求解区域，则镜像电荷为 ，位置在 ，上半空间任意一点处的电场强度为 。
14 距无限大电介质分界面h处放置一点电荷q，点电荷在第一种介质中，两种介质的介电常数分别为
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，以第二种介质为求解区域，则镜像电荷为 ，位置在 ，下半空间任意一点处的电场强度为 。
第八章 电磁场的能量和力
1 已知n个导体的电量为
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，电位
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，该静电系统的电场能量为 。
2 已知电场的电位移矢量D和电场强度E，则电场能量分布的体密度为 。
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6 已知磁场的磁感应强度B和磁场强度H，则磁场能量分布的体密度为 。
7 颇印亭矢量Sp= ，物理含义 。
8 电位不变时，关于广义坐标g的广义电场力fg= ，电量不变时，关于广义坐标g的广义电场力fg= 。
9 电流不变时，关于广义坐标g的广义磁场力fg= ，磁链不变时，关于广义坐标g的广义磁场力fg= 。
10 当广义坐标为角度时，利用虚位移法计算的广义力为 。
第九章 平面电磁波
1 无限大理想介质中的均匀平面电磁波为TEM波，电场方向、磁场方向和波的传播方向之间的关系为 。
2 理想介质中的均匀平面电磁波电场强度与磁场强度比值为 。
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5 真空介质的波阻抗为 。
6 证明理想介质中的平面电磁波电场能量密度与磁场能量密度相等。
7 理想介质中的平面电磁波电场强度与磁场强度相位关系为 。
8 频率为f，传播速度为v的平面电磁波在理想介质中传播，相位常数为 ，其物理意义为 。
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16 透入深度定义为 ，与衰减常数的关系为 。
17 良导体中衰减常数与相位常数的关系为 。
18 良导体中电磁波的透入深度为
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，因此，对于高频电磁波，电磁场只能存在于导体的 ，这一现象叫 。
第十章 电路参数的计算原理
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