rfcmos和cmos工艺的区别（BipolarCMOS与BiCMOS之间的关系）

Bipolar工艺技术

Bipolar 工艺是最早出现的适用于量产的芯片工艺。作为一种传统的半导体工艺，Bipolar产品具有良好的电特性，包括其可以在宽泛的工作电压环境下工作，反向电压保护电路设计简单高效，同时兼顾 ESD 保护及抗电磁干扰能力。其特点表现在结电容较高，速度较低等。

CMOS工艺技术CMOS 工艺是随着时代的发展，在芯片本身集成度要求提高的前提下产生的另一种量产工艺。半导体制造工艺的发展使得现今 CMOS 工艺最小线宽不断下降，意味着在同样面积的晶片上可集成更多的电路，特别是数字处理电路。

BiCMOS工艺技术

把双极型晶体管（BJT）和CMOS器件同时集成在同一块芯片上的新型的工艺技术，它集中了上述单、双极型器件的优点，两者“交叉”结合，取长补短，调和折衷，为发展我国高速、高性能的各种通信、信息处理和网络电路、通信用模拟/数字混合微电子电路和数字通信用超大规模集成电路（数字通信VLSI）开辟了一条崭新的道路。

CMOS工艺和BiPolar工艺是两种主要的硅集成电路工艺，它们有各自的优点。CMOS器件有集成度高、功耗 低、输入阻抗高等优点。BiPolar器件有截止频率高、驱动能力大、速度快、噪声低等优点。它们的优缺点正好互相补充，将它们集成同一芯片上形成BiCMOS工艺，充分发挥它们各自长处，使其既具有双极电路高速、强驱动能力的优点，又具有CMOS高集成度、低功耗的优点，可以将射频、基频与存储器等组件合而为一的高整合度，并同时降低组件成本。厦门旷时科技有限公司现已成功研发高性能模拟锁相环 (PLL，Phase-Locked Loop)工作频率最高可达12GHz，基于可靠的BiCMOS工艺技术，可满足高速、高集成度、高性能的超大规模集成电路需求，产品部分性能优于某国际知名品牌。

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