激光熔覆设备(中电科二所SiC激光剥离设备取得关键突破)

半导体设备历来都是高科技产业国产化的“卡脖子”环节之一,约束着国内企业在技术研发方面追赶国际企业的步伐,从而阻碍关键技术的国产化替代进程。可喜的是,近几年来,国产设备开始逐步崛起,燃起了国内企业振兴国产半导体产业的信心。

国产SiC设备的曙光

近日,据太原日报报道,中国电子科技集团第二研究所(以下简称“中电科二所”)在SiC激光剥离设备研究方面取得了突破性进展。

据悉,SiC材料硬度与金刚石相近,现有的加工工艺切割速度慢、晶体与切割线损耗大,成本较高,导致材料价格高昂,限制了SiC半导体器件的广泛应用。

而激光垂直改质剥离设备被誉为“第三代半导体中的光刻机”,其创新性地利用光学非线性效应,使激光穿透晶体,在晶体内部发生一系列物理化学反应,最终实现晶片的剥离。这种激光剥离几乎能避免常规的多线切割技术导致的材料损耗,从而在等量原料的情况下提升SiC衬底产量。此外,激光剥离技术还可应用于器件晶圆的减薄过程,实现被剥离晶片的二次利用。

激光熔覆设备(中电科二所SiC激光剥离设备取得关键突破)(1)

Source:拍信网

作为中国半导体设备领域的领头羊之一,中电科二所积极聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向,以解决SiC衬底加工效率为目标,将SiC激光剥离设备列为重点研发装备,借此实现激光剥离设备国产化,力争使其具备第三代半导体核心装备研发、产业化和整线装备解决方案的能力。

目前,中电科二所团队已掌握激光剥离技术原理与工艺基础,并利用自主搭建的实验测试平台,结合特殊光学设计、光束整形、多因素耦合剥离等核心技术,实现了小尺寸SiC单晶片的激光剥离。

报道称,中电科二所这一研发项目现已通过专家论证,正式立项启动,下一步将聚焦激光剥离技术的实用化与工程化,积极推进工艺与设备的协同创新,研发快速生产化、全自动化、低能耗化的激光剥离设备。

国产SiC材料的中坚力量

实际上,不止SiC激光剥离设备,中电科二所在国产SiC材料领域也逐步发展成为一股重要的推动力量。

据了解,中电科二所于1962年在北京成立,并于1965年迁入山西太原。自2007年起,中电科二所就着手布局SiC单晶衬底材料的研制规划,专注于研究开发SiC单晶生长炉,已全面掌握了高纯SiC粉料制备工艺、4英寸高纯半绝缘SiC单晶衬底的制备工艺,形成了从SiC粉料制备、晶体生长、晶片加工、外延验证等整套SiC材料研制线,并在国内最早实现了高纯SiC材料、高纯半绝缘衬底量产。

2019年,中电科二所投资50亿元加码SiC领域,拟建设用地约1000亩的中国电科(山西)电子信息科技创新产业园,计划用5年时间,建成“一中心三基地”,即:中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科(山西)三代半导体技术创新中心、中国电科(山西)光伏新能源产业基地。

该项目达产后,预计形成产值100亿元。产业园将通过吸引上游企业,形成产业聚集效应,打造电子装备制造、三代半导体产业生态链,建成国内最大的碳化硅材料供应基地。

除此之外,中电科二所一直积极与高校、科研机构形成产研融合,有助于各方在包括SiC材料、装备等在内的高端产业技术领域取长补短,共同攻关产业突出难题。从中电科二所现阶段取得的进展与突破可预见,后续更进一步的研究将能够有力地推动SiC关键设备和材料的国产化替代。(文:化合物半导体市场 Jenny整理)

,

免责声明:本文仅代表文章作者的个人观点,与本站无关。其原创性、真实性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容文字的真实性、完整性和原创性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并自行核实相关内容。文章投诉邮箱:anhduc.ph@yahoo.com

    分享
    投诉
    首页