台积电5nm芯片世界排名（台积电三星争夺2nm）

十年前，台积电突破28nm制程，将人类芯片制造水平提升到新的台阶。在28nm制程下，许多科技产业实现重大创新突破。

现在，台积电与三星开始争夺3nm，2nm。在这时刻，中芯国际刚突破55nm工艺。这项55nm工艺有什么不一样呢？芯片制程持续发展，会性能过剩吗？

芯片制造业事关各行各业的发展，所以在很多人的认知中，芯片制程其实是越高越好的。若是放在消费电子等高性能计算场景中，高端芯片制程的确可以带来更好的运行表现。

比如5nm制程的芯片肯定比14nm的芯片要好，14nm的芯片在手机上运作时未必能带动大型软件，卡顿，无响应是常有的事。

而5nm芯片不论是响应速度还是算力水准不是低端制程芯片可以比拟的。美国芯片巨头相继设计出高端芯片，然后找台积电，三星代工生产。

目前这两家公司都实现了4nm的芯片量产，三星更是实现3nm的量产突破，台积电预计在9月份步入到3nm的量产阶段。然后到2025年，二者会掀起更先进的2nm竞争。台积电表示，会保证量产2nm时是全球领先的。

可芯片制程真的低越好吗？恐怕也得分工艺类别。就像中芯国际突破了一项55nm的BCD工艺平台，就已经实现行业领先了。

根据中芯国际传出的消息，已经实现了55nm BCD工艺平台的第一阶段研发，正在进行试产。

看到这里可能很多人会感到一头雾水，只是55nm吗？BCD工艺是什么？

首先要明白BCD工艺的含义，这项工艺是一种单片集成技术，具体是将CMOS、DMOS、Bipolar三种器件集中在一颗芯片上制造，这种芯片集成制造技术就是BCD工艺。

而BCD工艺的用途非常广阔，可以在汽车、计算机以及工业自动化使用这些技术。通过BCD工艺，芯片行业可以将功率半导体、模拟芯片、数字信号处理器集中在单片上。不仅有良好的集成度性能，而且降低功耗，有扬长避短的效果。

全球首个BCD工艺芯片出自意法半导体之手，其在1985年成功研制。在经过三十多年的发展历程中，意法半导体将BCD工艺发展到了第十代技术，制程提升至90nm，线宽尺寸大幅缩减。意法半导体做到这一点已经是攻坚克难，而中芯国际做到了55nm。

实际上中芯国际并不是国内第一个研发BCD工艺的芯片制造商，还有华虹半导体也涉猎其中。华虹半导体拥有完善的工艺平台，基于BCD开发的制程技术达到了0.35um，0.18um，最高也可实现90nm。

总的来说，中芯国际BCD工艺的突破与台积电，三星等高端制程大不相同，台积电，三星能实现5nm及以下的制程突破，其实是单独在CMOS工艺平台进行的突破。所以55nm的BCD工艺和2nm的CMOS工艺不可同日而语。

不管是55nm的BCD工艺还是5nm，3nm的CMOS工艺，本质上都是为了提升人类的工业水平，加速全球芯片制造产业的进步。台积电，三星不断探索高端制程，中芯国际也用自己的方式发展未来。

可新的问题也出现了，芯片制程持续发展，会性能过剩吗？

从需求上来看，手机芯片发展到5nm已经出现性能过剩的情况。有多少人购买手机的需求只是耐用就好，不会卡就行。一颗5nm芯片可以集成一百多亿根晶体管，可日常使用中真的需要调用这百亿根晶体管吗？

也许只是刷个视频，打个电话，5nm芯片显得有些大材小用了。

当然，性能过剩还得因场景而异，若从行业发展的角度而言，其实性能过剩是片面的看法。因为不断发展的科技技术需要更高的芯片制程支持，比如大数据，人工智能以及智能汽车等等都在不断提高算力需求。

消费者也许用不上顶级的芯片处理器，但是对一些企业来说，在提供的服务器，数据中心应用场景中，对芯片的算力需求已经达到了每秒数十万亿次。

一般的制程芯片无法撑起如此庞大的算力需求，只有不断升级芯片制程，才能促进科技产业的持续发展。所以芯片性能过剩未必适用于所有场景，未来的路还很长，仍有发展的空间和意义。

中芯国际虽然突破的是55nm BCD工艺，但在这个工艺平台上，已经相当于台积电，三星在CMOS器件平台上的高端水平了。相信这只是开始，在芯片探索的路上，期待未来还能取得更大的进展。

对BCD工艺你有什么看法呢？欢迎在下方留言分享。