mos管的主要参数解释（详解有关MOS管的各项参数）

最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)，今天小编就来聊一聊关于mos管的主要参数解释?接下来我们就一起去研究一下吧!

mos管的主要参数解释

最大额定参数

最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)

VDSS 最大漏 - 源电压

在栅源短接，漏 - 源额定电压(VDSS)是指漏 - 源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定 VDSS。关于 V(BR)DSS 的详细描述请参见静电学特性。

VGS最大栅源电压

VGS 额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持 VGS 在额定电压以内可以保证应用的可靠性。

ID - 连续漏电流

ID 定义为芯片在最大额定结温 TJ(max)下，管表面温度在 25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻 RθJC 和管壳温度的函数：

ID 中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在 25℃（Tcase）也很难。因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于 ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在 1/3～1/4。补充，如果采用热阻 JA 的话可以估算出特定温度下的 ID，这个值更有现实意义。

IDM- 脉冲漏极电流

该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。定义 IDM 的目的在于：线的欧姆区。对于一定的栅 - 源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。如图所示，对于给定的一个栅 - 源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏 - 源电压，由此增大导通损耗。长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。因此，在典型栅极驱动电压下，需要将额定 IDM 设定在区域之下。区域的分界点在 Vgs 和曲线相交点。

因此需要设定电流密度上限，防止芯片温度过高而烧毁。这本质上是为了防止过高电流流经封装引线，因为在某些情况下，整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片，而是封装引线。

考虑到热效应对于 IDM 的限制，温度的升高依赖于脉冲宽度，脉冲间的时间间隔，散热状况，RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。单纯满足脉冲电流不超出 IDM 上限并不能保证结温不超过最大允许值。可以参考热性能与机械性能中关于瞬时热阻的讨论，来估计脉冲电流下结温的情况。

PD - 容许沟道总功耗

容许沟道总功耗标定了器件可以消散的最大功耗，可以表示为最大结温和管壳温度为 25℃时热阻的函数。

TJ, TSTG - 工作温度和存储环境温度的范围

这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。设定这样的温度范围是为了满足器件最短工作寿命的要求。如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。

EAS - 单脉冲雪崩击穿能量

如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。

定义额定雪崩击穿能量的器件通常也会定义额定 EAS。额定雪崩击穿能量与额定 UIS 具有相似的意义。EAS 标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。

L 是电感值，iD 为电感上流过的电流峰值，其会突然转换为测量器件的漏极电流。电感上产生的电压超过 MOSFET 击穿电压后，将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时，即使 MOSFET 处于关断状态，电感上的电流同样会流过 MOSFET 器件。电感上所储存的能量与杂散电感上存储，由 MOSFET 消散的能量类似。

MOSFET 并联后，不同器件之间的击穿电压很难完全相同。通常情况是：某个器件率先发生雪崩击穿，随后所有的雪崩击穿电流(能量)都从该器件流过。

EAR- 重复雪崩能量

重复雪崩能量已经成为“工业标准”，但是在没有设定频率，其它损耗以及冷却量的情况下，该参数没有任何意义。散热(冷却)状况经常制约着重复雪崩能量。对于雪崩击穿所产生的能量高低也很难预测。

额定 EAR 的真实意义在于标定了器件所能承受的反复雪崩击穿能量。该定义的前提条件是：不对频率做任何限制，从而器件不会过热，这对于任何可能发生雪崩击穿的器件都是现实的。在验证器件设计的过程中，最好可以测量处于工作状态的器件或者热沉的温度，来观察 MOSFET 器件是否存在过热情况，特别是对于可能发生雪崩击穿的器件。

IAR - 雪崩击穿电流

对于某些器件，雪崩击穿过程中芯片上电流集边的倾向要求对雪崩电流 IAR 进行限制。这样，雪崩电流变成雪崩击穿能量规格的“精细阐述”；其揭示了器件真正的能力。

静态电特性

V(BR)DSS：漏 - 源击穿电压(破坏电压)

V(BR)DSS（有时候叫做 VBDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。

V(BR)DSS 是正温度系数，温度低时 V(BR)DSS 小于 25℃时的漏源电压的最大额定值。在 -50℃, V(BR)DSS 大约是 25℃时最大漏源额定电压的 90%。

VGS(th)，VGS(off)：阈值电压

VGS(th)是指加的栅源电压能使漏极开始有电流，或关断 MOSFET 时电流消失时的电压，测试的条件（漏极电流，漏源电压，结温）也是有规格的。正常情况下，所有的 MOS 栅极器件的阈值电压都会有所不同。因此，VGS(th)的变化范围是规定好的。VGS(th)是负温度系数，当温度上升时，MOSFET 将会在比较低的栅源电压下开启。

RDS(on)：导通电阻

RDS(on)是指在特定的漏电流（通常为 ID 电流的一半）、栅源电压和 25℃的情况下测得的漏 - 源电阻。

IDSS：零栅压漏极电流

IDSS 是指在当栅源电压为零时，在特定的漏源电压下的漏源之间泄漏电流。既然泄漏电流随着温度的增加而增大，IDSS 在室温和高温下都有规定。漏电流造成的功耗可以用 IDSS 乘以漏源之间的电压计算，通常这部分功耗可以忽略不计。

IGSS - 栅源漏电流

IGSS 是指在特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流。

动态电特性

Ciss：输入电容

将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss 是由栅漏电容 Cgd 和栅源电容 Cgs 并联而成，或者 Ciss = Cgs Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电致一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和 Ciss 对器件的开启和关断延时有着直接的影响。

Coss：输出电容

将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。Coss 是由漏源电容 Cds 和栅漏电容 Cgd 并联而成，或者 Coss = Cds Cgd 对于软开关的应用，Coss 非常重要，因为它可能引起电路的谐振。

Crss：反向传输电容

在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容。Cres =Cgd，反向传输电容也常叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，他还影响这关断延时时间。电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容。

Qgs,Qgd,和 Qg：栅电荷

栅电荷值反应存储在端子间电容上的电荷，既然开关的瞬间，电容上的电荷随电压的变化而变化，所以设计栅驱动电路时经常要考虑栅电荷的影响。

Qgs 从 0 电荷开始到第一个拐点处，Qgd 是从第一个拐点到第二个拐点之间部分（也叫做“米勒”电荷），Qg 是从 0 点到 VGS 等于一个特定的驱动电压的部分。

漏电流和漏源电压的变化对栅电荷值影响比较小，而且栅电荷不随温度的变化。测试条件是规定好的。栅电荷的曲线图体现在数据表中，包括固定漏电流和变化漏源电压情况下所对应的栅电荷变化曲线。在图中平台电压 VGS(pl)随着电流的增大增加的比较小（随着电流的降低也会降低）。平台电压也正比于阈值电压，所以不同的阈值电压将会产生不同的平台电压。

下面这个图更加详细，应用一下：

td(on)：导通延时时间

导通延时时间是从当栅源电压上升到 10%栅驱动电压时到漏电流升到规定电流的 10%时所经历的时间。

td(off)：关断延时时间

关断延时时间是从当栅源电压下降到 90%栅驱动电压时到漏电流降至规定电流的 90%时所经历的时间。这显示电流传输到负载之前所经历的延迟。

tr：上升时间

上升时间是漏极电流从 10%上升到 90%所经历的时间。

tf：下降时间

下降时间是漏极电流从 90%下降到 10%所经历的时间。