任正非华为光刻技术进展（在上海建芯片厂）

近日，有媒体报道称，华为将在上海建立一条不使用美国技术的芯片厂，确保华为能在美国制裁下，仍有生产5G电信基础设施所需的芯片。

具体来说，这座芯片厂将由上海集成电路研发中心（ICRD）营运，内部设立了诸多目标：初期先试产45nm制程芯片；在2021年前生产28nm制程芯片，用于华为IoT设备如智能电视；在2022年前生产20nm支撑芯片，用于华为多数5G电信设备。

对于华为自建芯片生产线的努力，据《中国半导体论坛》报道，原工信部部长李毅中也在近日表示：“面对美方穷凶极恶的围剿，华为有志建立芯片制造线，我们应该给予支持。”

对此，AI财经社获悉，此前，国内一家大型互联网公司拜访华为时，华为人士表达了自建芯片生产线的信息，并告知他从45nm制程做起。

另有芯片业内人士告诉AI财经社：ICRD在上海张江有一条中试线（正式量产之前的中等规模生产线），并非用于正式生产。该生产线由华虹控股，规模较小，洁净室面积只有2000平方米。

此前，华为也有芯片生产线。华为在武汉有一条化合物半导体生产线，用于光通信业务，但规模较小，只是4英寸或者6英寸线。此外，华为也有自己的封装线。

之前还有传闻称华为正自研光刻机。行业人士告诉AI财经社，华为从上海微电子装备（集团）股份有限公司挖工程师，这家企业从事光刻机研发。但尚不清楚这些工程师是参与华为自研光刻机项目，还是参与华为上述芯片生产线的光刻业务。（记者/牛耕 编辑/赵艳秋）