mmse检测算法原理（螺旋GeSe-GeS异质结的可控边缘外延）

2018年美国麻省理工学院物理学教授Pablo Jarillo-Herrero团队首次发现当两片石墨烯以1.1°的扭转角度交错排列，这个双层结构就会转变为非常规的超导体，从而使电流无阻通过，而不会浪费能量。

扭转电子学领域从此兴起，在之前的所有研究中，扭转的范德华异质结基本局限于平面内的层间界面，而这种层状范德华异质结往往是通过剥离、力学定向堆积形成。

本期研究者向我们进一步展示了一种通过调节生长温度来定制螺旋GeS晶体扭转率的便捷方法，拓展了材料体系，提升了器件性能。该研究为探索层状材料中的可变层间扭曲现象提供了一个通用的平台，为规模化制造具有特定扭曲角度的范德华结构起到了重要推动作用。

Controllable Edge Epitaxy of Helical GeSe/GeS Heterostructures

学术支持：Magon

封面设计师：Judy

链接：

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.2c00395

摘要：

Emerging twistronics based on van der Waals (vdWs) materials has attracted great interest in condensed matter physics. Recently, more neoteric three-dimensional (3D) architectures with interlayer twist are realized in germanium sulfide (GeS) crystals. Here, we further demonstrate a convenient way for tailoring the twist rate of helical GeS crystals via tuning of the growth temperature. Under higher growth temperatures, the twist angles between successive nanoplates of the GeS mesowires (MWs) are statistically smaller, which can be understood by the dynamics of the catalyst during the growth. Moreover, we fabricate self-assembled helical heterostructures by introducing germanium selenide (GeSe) onto helical GeS crystals via edge epitaxy. Besides the helical architecture, the moiré superlattices at the twisted interfaces are also inherited. Compared with GeS MWs, helical GeSe/GeS heterostructures exhibit improved electrical conductivity and photoresponse. These results manifest new opportunities in future electronics and optoelectronics by harnessing 3D twistronics based on vdWs materials.

研究主要提出基于外延生长技术实现范德华螺旋异质晶体的制备，证明了其位于连续扭转界面处的莫尔超晶格，并通过温度的控制实现了其扭转角的调控，在较高的温度下，GeS介观线（MWs）连续纳米板之间的扭转角在统计上更小。

本期封面设计师采用微观视角，通过三维建模的方式为我们呈现研究主题。图中的主体部分即是范德华螺旋异质晶体的形貌表征及连续扭转界面处的莫尔超晶格。

此次封面设计风格简约大气，只对范德华螺旋异质晶体进行艺术化的呈现，建模细致入微，配色醒目高级，灯光材质等渲染步骤的加入使得模型纤毫毕现，质感十足。画面层次丰富，观感通透，科技风扑面而来。