mos管的导通电阻怎么测量（MOS管导通电阻你知道多少呢）

N沟道增强型的MOS是当UGS大于一定值时就会导通，

P沟道增强型的MOS是当UGS小于一定值时就会导通。

即使MOS管完全导通后，也是有导通电阻存在的，

RDS(ON)是指当UGS=10V时，D、S两极之间的导通电阻。

导通电阻RDS(ON)的大小并不是一个固定值，

它跟温度有关，温度越高，RDS(ON)就越大。

比如下图就是一款MOS管(VBZMB7N60）的RDS(ON)与结温的关系图。

可以看到，在不同的结温下，会有不同的RDS(ON)，比如在20℃时是0.75欧姆。

在使用MOS管设计开关电源或者驱动电路的时候，一般要考虑一下MOS的导通电阻。

因为电流在D极和S极流过时，就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。

选择导通电阻小的MOS管能减小—定的导通损耗，现在小功率的MOS管的导通电阻一般是几毫欧到几十毫欧左右。

如果想要耐压越高，内部结构就要做得越厚，所以耐压越高的MOS导通电阻RDS(ON)会越大。

导通电阻的大小除了可以通过查阅芯片的数据手册来查看，也可以自己进行简单测量，在导通情况下，测出流过MOS的电流ID和电压UDS，电压UDS除以电流ID就是导通电阻了。