3d nand和qlc（NEO第二代X-NAND技术让QLC具备SLC性能）

X-NAND让QLC变SLC？

大家可能听说过Neo Semiconductor，它在去年提出了一项名为X-NAND的技术，宣称可以解决MLC、TLC、QLC以及PLC（5bit/cell）的速度递减问题，在不增加制造成本的情况下将SSD的顺序读取速度提高27倍、顺序写入速度提高15倍、随机读写性能提高3倍，让QLC闪存实现SLC的性能，并且还不会有SLC缓存用完性能暴跌的危机。

今年这家公司又提出了第二代X-NAND架构，技术上看依然是利用4到16个子平面来增加数据吞吐带宽，不同之处在于数据现在先被编程到同个平面的SLC字线（而不是三个单独的平面），然后编程至第二个平面中的TLC字线实现最终存储。

由于位线长度的缩短，X-NAND还可以带来随机读写性能提升和功耗下降的附加效果。

Neo声称他们的技术IP可以被应用在包括SLC、MLC、TLC、QLC和PLC的各种类型闪存当中，并且不会增加制造成本。第二代X-NAND在前不久结束的FMS 2022闪存峰会上获得了“最具创新性内存技术”的“最佳展示”奖，不过目前还没有任何一家闪存制造商使用Neo的X-NAND技术来制造闪存。

MemTest86内存测试工具升级：

PassMark刚刚升级了其MemTest86内存测试工具软件，现在MemTest86能够更好地支持DDR5内存，快速和精确地发现存在缺陷和引发错误的内存条。

新版MemTest可以在在双通道模式运行的DDR5平台（如12代酷睿搭配Z690主板）上提供更精细的检测结果，可以具体到特定内存条的某一个芯片上。

过去检测内存时需要重复多次才能找出具体哪根内存有问题，有了这个新功能之后找出答案的速度就更快了。