英特尔的闪存排名（以持续技术优势引领存储市场发展）

来源：计算机世界

刚刚过去的4月，英特尔发布了全新的第三代至强可扩展处理器，业内用“Ice Lake is coming”来形容英特尔10纳米的强势登场，这股“Ice Lake”的风潮非但没有给炎热的初夏带来一丝凉意，反而引爆了英特尔的新品发布热潮。立夏刚过，英特尔又发布了全新第11代智能酷睿高性能移动版处理器，代号“Tiger Lake-H”。从DC到PC，英特尔似乎在向业界展示谁才是真正的“芯片之王”。

不知道还有多少人记得，以存储起家的英特尔在去年官宣的一则消息：2020年10月20日，英特尔宣布，同意SK Hynix以90亿美元收购该公司NAND闪存业务，以及英特尔在中国大连的NAND闪存制造工厂，但仍保留其傲腾技术和业务。

该消息一出真可谓一石激起千层浪，各种分析纷纷攘攘，无论是唱衰还是唱好各有拥趸。

众所周知，类似这种行业巨头间的收购工作并非一夕之间就可以完成的，公开信息披露，受监管批准与相关条件限制，双方的交易有望在2025年3月全部完成。

那么，曾以3D NAND在闪存产品中“独领风骚”的英特尔目前该业务领域处于怎样的状况？是否还会继续进行产品的更新迭代？是否还能保持技术上领先优势？《计算机世界》记者带着这些问题走访了英特尔NAND产品与解决方案事业部的几位专家。

一，是否还有闪存新品？

“未来，内存与存储层次结构的认知和产品规划，仍旧如大家熟悉的英特尔存储金字塔所示，不会有所变化。”英特尔NAND产品和解决方案事业部中国区销售总监倪锦锋在接受采访时表示，“英特尔的存储产品将一如既往的出货及更新”。

据了解，在企业端，继2020年上半年出货的固态盘D7-P5500和D7-P5600，2021年上半年数据中心产品将主打4款产品。除了目前已发售的D7-P5510外，英特尔在2021年第2季度和稍后时间陆续发售D5-P5316、D3-S4520和D3-S4620。

而在客户端、消费层产品方面，将主打2款产品，目前在市场上已经可以看到的固态盘660P和670P。

二，如何保证技术优势？

谈及技术优势，英特尔技术专家向记者表示，作为提供第一个QLC PCIe 3D NAND固态盘的企业，英特尔拥有超过30年的闪存单元经验，而要保持领先地位无外乎三个方面，外形规格上的创新、扩展更多层的存储单元、提高每单元的位数。

英特尔技术专家坦言：“英特尔在3D NAND固态盘当前的领先技术，就是面向未来的路线图，不管是优化的EDSFF外形接口，还是144层的TLC和QLC，抑或是5b/c的浮栅技术前景。”

在采访中，记者发现英特尔坚持“通过最高面密度，为闪存的应用实现更好的经济效益”。

相比较传统栅极技术达到128-层TLC，英特尔通过浮动栅极技术实现144-层TLC，加上阵列下CMOS实现最高面密度，通过更小的FG单元和更高效的阵列的技术搭配，实现面密度提高10%，同时每个晶圆可以承载更高的GB，做到容量扩大和制造效率的提高。

其浮栅单元的特点包含了：良好的读取阀值电压窗口；单元之间良好的电荷隔离；良好的数据保留。可以说，英特尔正是凭借QLC 3D NAND在行业占据了领先地位。

基于成熟的单元技术——垂直浮栅闪存单元可以深度了解通过隧道氧化层来控制电子的物理学原理，同时离散单元隔离能够将跨单元干扰的风险降至最低 ，此外垂直单元中的电子数量提高6倍左右，可提高控制能力。通过强大的电荷损失保护功能，在设计上就确保了高可靠性。

对于浮动栅极是如何提供更高的数据维持率？英特尔技术专家介绍道，较小的读取窗口带来了准确性挑战，很小的泄漏量即可导致读取错误，在数据保留方面，浮动栅极NAND单元优于电荷撷取闪存，从而提高QLC数据维持能力和读写寿命。

总体来看，英特尔3D NAND的优势在于：

·英特尔3D NAND基于单元技术而构建，拥有超过30年经过验证的可靠性和质量，可谓闪存单元技术创新的的引领者；

·QLC NAND技术的每单元位数比TLC NAND提高33%，并提供了业界领先的面密度，可以助力用户实现更好的经济效益；

·在数据保留方面，浮动栅极NAND单元优于电荷撷取，这种设计提高了数据读取的可靠性。

尽管目前为止，对于QLC业内仍有一些疑问，但从应用层面看，在耐久性、性能、质量和可靠性、成熟度等方面，英特尔 QLC 3D NAND固态盘都体现出了很强的优势。

另一位英特尔技术专家则以D5-P5316为例，展示了其为何被称作是大规模存储容量且塑造灵活性能的代表性产品。

依靠业内领先的密度、严苛的质量和可靠性D5-P5316让客户能够充满信心地在温存储中进行大规模部署。对于适应场景来说，英特尔QLC PCIe NAND固态盘针对需要快速访问大型数据集的读取密集型工作负载进行了优化，更加适合云存储、AI、CDN、HCI、HPC等。此外，大规模整合存储空间，1U内最高1PB，把温存储占用的空间减少最多20倍，从而大幅降低TCO 。

结语

在采访的尾声，笔者回忆起两张图片，一张是英特尔的“六大技术支柱”，一张是英特尔的“存储金字塔”架构图。

笔者认为，作为六大技术支柱之一的内存&存储，以及在存储架构中不可缺少的3D NAND，其重要性不言而喻。坚持“闪存层数是衡量其闪存先进性最直观的维度”，保持在非易失性存储领域的领跑地位。正如倪锦峰所言“我们的愿景就是成为行业领先的存储与内存解决方案公司”。

至于未来，成败还是应该交由市场来检验。

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