ibm未来五年的发展（IBM豪掷200亿美元的新解读）

集微网报道 在去年5月重磅宣布研制出全球首颗2nm EUV芯片、年底又宣称与三星合作开发出1nm芯片震惊业界，IBM在开挂的路上急驰，这不又不错眼地抛下了另一枚重磅炸弹。

10月8日，IBM宣布未来十年在纽约州投资200亿美元，以增强半导体制造、人工智能、量子计算的研发。在美国芯片法案的激励下，IBM又要激情满满加码半导体制造了。

尽管业界对于IBM的认识大多停留在是一家大型计算机公司及软件供应商，擅长于提供软件支持。但回望蓝色巨人的百年发展史，不仅有在半导体产业中难舍的沉浮与纠葛，对于全球半导体业的贡献亦有目共睹。

IBM不仅曾推出多项突破性的半导体产品与技术，涉及DRAM、Power处理器等等，还开发了多项推动半导体制造精进的技术，包括铜互连、CMP、SiGe、ArF光刻及绝缘层上硅(SOI)技术等。甚至可以说，IBM为全球半导体业特别是制造工艺的进阶居功至伟。

虽然IBM壮士断腕于2014年10月脱手其制造生产线于格罗方德，但IBM在半导体先进制程方面的研究却一直没有停止，依然保留了一家芯片制造研发中心。

在随后的时间中，IBM依然，在EUV商业化落地、7nm和5nm研发以及前文提及的2nm、1nm等的前沿研发，以授予众多晶圆代工厂的专利技术极大地推动了先进制程的发展，使得IBM成为了先进制程升级过程中不可忽视的一员。

以2nm来说，IBM研发了两项独特的工艺：底部电介质隔离（bottom dielectric isolation）以及内层空间干燥处理（inner space dry process），这正是IBM掌握的2nm芯片制造技术的核心。在1nm层面，IBM和三星采用一种名为垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 的芯片设计技术，该技术将垂直堆叠，并且让电流也发生变化以垂直流向，使晶体管数量再次密集化，同时也显着提高了电源使用效率，并突破了目前1nm工艺设计的瓶颈。

尽管2nm、1nm工艺只是实验室技术，离真正实现量产还有相当远的距离，需要芯片代工厂不断提升良率，但这也佐证了摩尔定律依旧可“续命”，亦展现了IBM的深厚功力。

对于IBM投资200亿美元加码半导体制造等的打算，爱集微通过与业界多名行业人士交流得知，IBM投入制造应是把握美芯片法案对于半导体制造的慷慨补助时机，进一步提升半导体制造研发的能力。诚然，200亿美元对于先进工艺研发其实不多，买些先进设备也就差不离了，但通过此举可在先进工艺所系的晶体管结构、二维材料以及设备等层面进行更深入的研究，进可为美未来的先进工艺竞赛获得更多筹码，退可出售技术专利和标准，可谓一举两得。

从宏观层面来看，与IBM的200亿美元投入相比，英特尔及美光更是大手笔高调投入制造业，以全力配合美制造业回流的国策。但要指出的是，美高端制造回流并不会如其所想的如意算盘走上正轨，无论是代工文化、生态、客户等等，美半导体制造业依然要跨越重重关隘，更何况美一意孤行——从芯片禁令到芯片补贴一手制造全球供应链脱钩之后引起的反噬也将难以善终。

正如某位行业人士所言，今后的芯世界，注定是多元化而强竞争的，不占天时、地利、人和的美国，极有可能进一步失去原有的支配能力，而仅仅换来一个“产业链全”的平庸结局！

更要注意的是，这段时间以来，美政府加码对中国半导体产业无底线的遏制与打压，也在进一步提醒国内半导体业面临美国的禁令时，只有单点突破还是不够的，需要把点都连成线、线组成面。尤其是在半导体制造方面，尽管客观上依靠进口发展先进工艺难上加难，但成熟工艺依然有广阔天地，国内半导体业要不断加强长板，做强做大，同时还要抓紧攻坚先进工艺相关的材料与设备，唯有通力协作才能攻坚克难，唯有上下一心才能百练成钢。(校对/张轶群)