固态硬盘寿命tlc与mlc差多少 固态硬盘颗粒SLCMLCTLC的区别在哪里

我们都知道固态硬盘是以闪存芯片为存储介质的,而每一个闪存的基础存储单元是浮栅MOS管,为了搞清楚SLC、MLC、TLC的区别,不妨先看一下每个基础存储单元(浮栅MOS管)是如何读写数据的。

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浮栅MOS管示意图

上图为浮栅MOS管的示意图,学过模电的同学可以看出它特别像MOS管,不过前者比MOS管多了一个栅极,因为处于氧化绝缘层之间不与部件相连,故称为“浮栅”,正因为其特殊的结构,如果浮栅层存储有电子,就算掉电,因为被包裹在绝缘层之间,电子也不会消失,那么里面的信息也不会丢失。

写操作:控制栅极加正电压,衬底接地,产生大量高能电子,部分电子会进入隧道氧化层,由于控制栅极的正电压,在电场作用下电子进入浮栅层。

擦操作:与写操作相反,衬底加入正电压,控制栅极接地,则浮栅层的电子会被“吸出”。

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浮栅MOS管写、擦原理(图源于《深入浅出SSD》)

我们所存储的信息是以0和1进行表示的,聪明的小伙伴已经想到了,如果我们能检测到浮栅层里有电子,则表示“0”,否则则表示“1”。然而是否有电子是难以检测的,但电子的多少是不是就对应了电压,如果高于一个阈值,即表示“0”,否则则表示“1”。如下图所示,横轴表示电压,这就是SLC的存储单元的原理。即一个存储单元就存储1位信息(1bit)。

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SLC电压分布(图源于《Inside NAND Flash Memories》,下同)

又有聪明的小伙伴想到了一个存储单元只表示1位信息是不是太浪费了,我们既然用阈值电压区分0和1,为什么不多分几个阈值电压,分三个阈值电压,是不是就可以把检测到的电压分成4份,分别表示00,01,10,11,这样就可以每个存储单元存储两位信息(2bit),即MLC。

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MLC电压分布

同理,能存储两位信息还是太少了,那我把它分成7个阈值电压,把电压分成8份分别表示000到111,这样就可以存储三位信息(3bit),即TLC。QLC则是可以存储四位信息,对应15个阈值电压。

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TLC电压分布

综上,同一个存储单元上SLC能表示1bit信息,MLC能表示2bit,SLC能表示3bit。但是,随着阈值电压划分得越多,则需要定位的电压就越难,向存储单元写信息时需要准确定位阈值,则控制的电子数就需要更精确,同理在读取数据时需要采集更加精确的电压得到所存储的信息,这无疑增加了擦读时间以及损坏概率。

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