半导体用晶圆是单晶硅还是多晶硅（晶圆的制备⑤硅片倒角半导体行业）

硅片倒角工艺是用具有特定形状的砂轮磨去硅片边缘锋利的崩边、棱角和裂缝等。

对硅片倒角可使硅片边缘获得平滑的半径周线，这一步一般在磨片之前或之后进行。在硅片边缘的裂痕和小裂缝会在硅片上产生机械应力并会产生位错，尤其是在硅片制备的高温过程中。小裂缝会在生产过程中成为有害沾污物的聚集地并产生颗粒脱落。平滑的边缘半径可以将这些影响降到最小。

倒角的目的主要有三个。

（1）防止晶圆边缘碎裂。晶圆在制造与使用的过程中，常会受到机械手等的撞击而导致晶圆边缘破裂，形成应力集中的区域。这些应力集中的区域会使得晶圆在使用中不断地释放污染粒子，进而影响产品的成品率。

（2）防止热应力的集中。晶圆在使用时，会经历无数的高温工艺，如氧化、扩散等，当这些工艺中产生的热应力大小超过硅晶格的强度时，即会产生位错与层错缺陷，晶边磨圆可以避免该类缺陷在晶边产生。

（3）增加外延层和光刻胶层在晶圆边缘的平坦度。在外延工艺中，锐角区域的生长速度会比平面高，因此，用没有磨圆的晶圆容易在边缘产生突起。同样，在利用旋转涂布机涂光刻胶时，光刻胶溶液也会在晶圆边缘发生堆积现象，这些不平整的边缘会影响掩模板对焦的精确性。