丝印rks的三极管具体参数和型号（半导体放电管TSS选型技巧和方法）

一、半导体放电管工作原理

半导体放电管，TSS（Thyristor Surge Suppressors），也称浪涌抑制晶闸管，是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件，其伏安特性与晶闸管类似，具有典型的开关特性。一般并联在电路中应用，正常工作状态下半导体放电管 处于截止状态，当电路中由于感应雷、操作过电压等出现异常过电压时，半导体放电管快速导通泄放由异常过电压导致的异常过电流， 保护后端设备免遭异常过电压的损坏，异常过电压消失后，半导体放电管又恢复至截止状态。

半导体放电管（TSS）伏安特性曲线

东沃（DOWO）供应的半导体放电管产品有：SOD-123系列、SMA系列、SMB系列、SMC系列、DO系列、SOP-8系列、SOT23-5系列、SOT23-6系列、TO-92-2L系列、LED系列等等。

二、半导体放电管特点特性

• 精确的导通击穿电压，反向截止电压范围为6V-600V；

• 快速的响应速度快：小于1nS

• 在8/20μs波形下通流量为几百安培；

• 低结电容，电容值在几十皮法至一百多皮法；

• 漏电流小，一般为几微安甚至零点几微安；

• 有插件、贴片、阵列式等封装形式；

三、半导体放电管选型指南

1）半导体放电管的反向截止电压要大于被保护电路的最大工作电压，否则的话，不仅影响被保护电路的正常工作，还影响TSS的使用寿命；

2）最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值；

3）转折电压要小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压；

4）半导体放电管处于导通状态时，所损耗的功率应小于其额定功率；

5）如果想要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值；

四、半导体放电管参数注解

• VDRM：反向截止电压，也称断态重复峰值电压，断态时刻施加的包含所有直流和重复性电压分量的额定最高瞬时电压；

• IDRM：反向最大漏电流，也称断态重复峰值电流，是指施加断态重复峰值电压VDRM产生的峰值断态电流；

• IH：维持电流，维持晶闸管通态的最小电流；

• VT：通态电压，在规定通态电流IT条件下器件两端电压；

• IT：通态电流，在通态条件下，流过器件的电流；

• VS：开关电压，开关电压定义为器件转换进入通态前，在击穿区终点时器件两端的瞬时电压；

• IS：开关电流，在开关电压VS条件下流过器件的瞬时电流；

• VPP：峰值脉冲电压，给定波形下半导体放电管可通过的最大峰值脉冲电压值；

• IPP：峰值脉冲电流，给定波形下半导体放电管可通过的最大峰值脉冲电流；

DO-15封装半导体放电管

五、半导体放电管选型事项

1）由于半导体放电管是一种开关型过电压保护器件，导通后电压比较低，为此不能单独应用在较高的电源线保护中；

2）要根据电路设计布局选择合适的封装形式；

3）一般并联在电路之中；

六、半导体放电管典型应用

半导体放电管TSS广泛应用于通信、安防、工业等电子产品的通信线保护中，电话机、传真机、Modem、XDSL终端、T1/E1接口、仪器仪表、及其配线架、RS485/232数据线、以太网、CATV设备、安防产品、远程监控、远程抄表等产品中。

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SMA封装半导体放电管