内存条时序怎么确定(丢掉对内存条时序的误解)
许多电脑玩家都通过看内存条的时序的CL值来分辨内存条的好坏,认为同一代的内存条CL值越大,内存条越渣,越小就越好。其实这是片面的,太草率了。
今天我们要深入的来看看内存条时序,讲一讲你一些你不知道的事。放心,我不会扯一大堆度娘上都有的理论。因为我懒得扯那些,我看了都头晕目眩。接下来讲的都是重点,有助于你了解内存条的时序,并通过它们选择内存条。
下面我们以阿斯加特(Asgard)的两款内存条为例。
1.洛极系列(OC)内存条。
这OC何意?Over Clock,超频的意思。这款采用专为超频的私版设计,8-10层PCB保证了良好的电气性能,海力士和镁光的颗粒使得性能稳定强劲,外有高品质寒光散热护甲,拥有七彩效果,非常酷炫。洛极8G 2400MHZ内存条,超频上3000,才479。可以说性价比是内存条里数得着的。
2.阿扎赛尔内存条。
这是一款位于内存性能金字塔顶端的内存条。不用多说,阿扎赛尔超频到4233MHZ,这是史无前例的,足以证明其优秀了。
时序很吓人吧?
一般的内存条时序都是15-15-15-35。更有甚者,居然时序是14-14-14-XX。
看了这两款内存条的时序过后,一些不太了解时序的朋友就吓屎了,“哎呀,CL值太差了,我都不好意思看了。”
“OK,那您就闭眼吧,反正睁眼没用”。
需要了解内存条时序的朋友注意了,我们现在就来讲讲内存条时序到底对内存条的性能有何影响。
1.CL:列寻址所需的时钟周期(表示延迟的长短)。(关于概念,我们还是点到为止,我们要讲的都是实在的。)
确实是同频率下,CL值越小内存条性能越好。从DDR1-4随着内存条的频率越来越高,CL值也越来越大,但是其真实的CL延迟时间几乎没有什么变化。这说明并不是CL值越大,内存条的CL延迟就越大,内存条就越差。从DDR1-4 CL值越来越大,相反说明CL越大,能上去的频率越高。
我们来计算一下DDR1-4的CL延迟时间:
DDR-400 3-3-3-8:(3*2000)/400=15 ns
DDR2-800 6-6-6-18:(6*2000)/800=15 ns
DDR3-1333 9-9-9-24:(9*2000)/1333=13.5 ns
DDR4-2133 15-15-15-35:(15*2000)/2133=14 ns
我们再来算算洛极内存条的CL延迟时间:
DDR4-2133 16-16-16-36:(16*2000)/2133=15 ns
CL延迟时间是不是差距不大呢?那为什么DDE4比DDR1-3性能好,当然是因为频率啊。DDR4频率比DDR1-3高。因此我们可以得出这个结论:CL值差不多的时候,频率越高的内存条性能就越好。我们也可以得出在延迟时间一定的时候,放宽CL有可能使得内存条超频到更高。
所以我们在选同一代的DDR内存条时,只要CL值差距不大,那就甭管它,重要的是频率,谁的超频高,谁就牛B。(其实这个道理是显而易见的,只是有的朋友太看重CL了。
2.tRCD:行寻址和列寻址时钟周期的差值。
tRCD值对内存最大频率影响最大。内存条想要上到一个高的频率,而如果不能加大电压和放宽CL值,那么就只能把tRCD值增大。
现在的DDR4一般的1.2V,想要CL值好看,还想要内存条能超频到更高,那就加大tRCD咯,还想要灯光效果,那就把时序统统的加大。
所以tRCD大不代表内存条差,相反代表内存条可以超到一个很高的频率。(是不是让那些喜欢时序都小得可怜的朋友有点失望了?)
3.tRP:在下一周期之前,预充电需要的时钟周期。
虽然tRP的影响会随着频繁操作一个bank而加大,但是它的影响也会被bank交叉操作和命令调配所削弱。放宽tRP有利于提高行址激活、关闭的命中率,正确率。放宽tRP可让内存条的兼容性更好。
4.tRAS:对某行的数据进行存储时,从操作开始到寻址结束需要的总时间周期。
此操作并不会频繁发生,只有在内存空闲或开始新一个任务的时候才使用它。tRAS值太小有可能导致数据错误或丢失,太大的值则会影响内存性能。如果内存条负荷较大,一般可以稍微放宽tRAS值。
内存条的性能、功能的定位不同,时序就会不同。你的内存条只要在2133MHZ运行,还不要灯效,还不顾兼容,再垃圾的厂家也能造出时序好看到极点的内存条。大家不妨去看看,是不是有的内存条明明很渣,但是时序好看得很。
不知道大家有没有注意,凡是OC内存条(超频厉害的内存条),灯条,它们的tRCD、tRP、tRAS一般都比较大。要超频厉害,要灯光效果,还要保持很好的兼容性,必须适当的调节时序。
所以,大家以后别看到时序大就“哇”惊呆了,还妄言好坏,免得徒增笑耳。随着电脑内存条的频率逐渐提升,时序变大是必然的。时序小,只能证明超频不行。频率不行,怎么伺候好CPU老爷呢!买内存条,就跟古时候买丫鬟似的,必须要长得标致,手脚麻利,人美活好。
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